Etɛ lɛ wɛ è nɔ zán dó cyɔn alɔ mɛ jí?

Nǔ e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é wɛ nyí nǔ e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é, bɔ ye nɔ tuùn ninɔmɛ lɛ̌ɛnkanvɔ tɔn e ma sɔgbe ǎ lɛ é bo nɔ lɛ́ ɖó ye te, ɖi nǔ e ɖò ayǐ lɛ é, alǒ nǔ klewun klewun lɛ, bo na dó glɔ́n ali nú nǔ e è nɔ zán lɛ é kpo batɛɛ lɛ kpo. Circuits enɛ lɛ nɔ w’azɔ̌ ɖi mɛ e nɔ kpé nukún dó ye wu lɛ é, bo nɔ ɖò hlɔnhlɔn kpɔ́n wɛ tɛgbɛ, bo nɔ ɖò hlɔnhlɔn e ɖò ayǐ é jí, lobo nɔ lɛ́ ɖè hlɔnhlɔn sín hlɔnhlɔn jí hwenu e paramɛtɛ lɛ nɔ hugǎn dogbó e ɖò ayijayǐ mɛ lɛ é é.

Nǔ e wu è nɔ cyɔn alɔ mɛ jí é Nɔ Zɔ́n Bɔ È Nɔ Zán É Ðò Électronique égbé tɔn lɛ Jí

Nǔ e è nɔ zán ɖò alokan jí lɛ é bǐ nɔ ɖí xwi xá hlɔnhlɔn lɛ̌ɛnkanvɔ tɔn ɖò azɔ̌wiwa hwenu. Hlɔnhlɔn e è nɔ mɔ ɖò jǐ e nɔ tɔ́n sín jǐ é mɛ é sixu zɔ́n bɔ volt afatɔ́n mɔkpan na byɔ tutoblonunu ɖé mɛ ɖò microseconde lɛ mɛ. Batterie gɔ́ nú akwɛ sixu zɔ́n bɔ è na hɔn nú jɔhɔn. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ polarite é ɖokpo gblé.

Axi e nɔ cyɔn alɔ hǔn ɔ jí é yì 57,10 milliards de dollars ɖò 2024, bo lɛ́ yì 94,84 milliards de dollars ɖò 2033, bɔ mɔ̌to e nɔ zán hlɔnhlɔn é, nǔ e è nɔ zán ɖò IoT mɛ lɛ é, kpo nǔ e nɔ zán nǔ lɛ é kpo wɛ nɔ zɔ́n bɔ è nɔ bló. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ électrique é dó ayi mɛ, bo na dó sixu mɔ nǔ jɛ nǔ e ɖò jijɛ wɛ lɛ é wu.

Circuits de l’accidents nɔ ɖí xwi xá hlɔnhlɔn enɛ gbɔn nǔ taji atɔn gblamɛ: nǔ e è nɔ mɔ lɛ é, gbeta lɛ, kpo kancica e ɖò ye tɛntin é kpo. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ circuits intégrée é sín nǔjlɛdonǔwu lɛ dó kpɔ́n nǔ e ɖò hlɔnhlɔn jí lɛ é mɛ ɖò tɛntin microseconde lɛ tɔn. Hwenu e nǔxixa lɛ gbà dogbó e è ko ɖɔ ɖ’ayǐ lɛ é ɔ, linlin e è nɔ zán dó ɖu ɖò nǔ jí é nɔ zɔ́n bɔ MOSFET lɛ alǒ è nɔ jla nǔ lɛ ɖó bo nɔ má ali circuit tɔn ɔ cobɔ nǔ lɛ nɔ gblé.

Nǔ e è nɔ zán dó cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é sín alɔkpa lɛ

Wlɛnwín alɔcyɔnmɛji tɔn lɛ nɔ má dó hlɔnhlɔn mɛ- e jinjɔn hlɔnhlɔn jí é wu[{1}} sín wlɛnwín lɛ, ɖokpo ɖokpo nɔ sɔ́ ayi ɖó alɔkpa vovo lɛ jí.

Alɔcyɔnmɛjitɔ́ lɛ sín Acɛkpikpa lɛ

É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ voltage é dó ayi mɛ. Microcontrôle 5V e è sɔ́ 12V dó bló na é ɖé nɔ sè oxide sín oxide tlolo ɖò transistor tɔn lɛ mɛ.

Crowbar Circuits

Crowbar circuit nɔ zán Silicon{0}}} Azɔ̌ e è nɔ ylɔ ɖɔ Rectificat Rectifique (SCR) é ɖé gɔ́ nú Zener diode ɖé bo na dó bló circuit klewun ɖé ɖò nǔwiwa lɛ hwenu. Ðò azɔ̌wiwa ɖagbe mɛ ɔ, Zener ɔ kpó ɖò gudo tɔn-} mɛ e ma nyí- dó bló ǎ é. Hwenu e hlɔnhlɔn e è sɔ́ dó jǐ é na yì Zener sín ɖiɖe e nɔ gbà nǔ é glɔ́ é{5}}typique télésence 15-20% ɖò nominal-it jí nɔ bló SCR sín hɔntogbo ɔ bo nɔ lɛ́ dɔn ɛ wá. Enɛ gudo ɔ, SCR ɔ nɔ bló bɔ hlɔnhlɔn e è nɔ zán dó xò nǔ kpɔ́n é nɔ hwe, bo nɔ zɔ́n bɔ è nɔ xò jɔhɔn ɔ zlɛ bo nɔ lɛ́ ɖè hwɛ e è ɖó é síìn kaka sɔyi.

Wlɛnwín alɔcyɔnmɛji tɔn enɛ nɔ w’azɔ̌ ganji, amɔ̌, é nɔ hɛn nǔ gblé. Enyi è bló bɔ fí ɔ w’azɔ̌ ɔ, é nɔ byɔ ɖɔ è ni ɖyɔ ɛ cobɔ è na vɔ́ tutoblonunu ɔ blóɖó. SCR kpo Zener kpo ɖó na dɛ ɖò jɔhɔn 10-50 amps lɛ nu kaka jɛ hwenu e fí ɔ na hun é, bo na byɔ ɖɔ è ni sɔ́ nǔ syɛnsyɛn lɛ.

Mɛ e nɔ na hlɔnhlɔn mɛ lɛ é (TVS)

TVS diood lɛ nɔ cyɔn alɔ jǐ nú jǐ e nɔ nɔ ayǐ nú nanoseconde lɛ é nú milisegɔndu lɛ. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ “{1}}state é dó w’azɔ̌ ɖi wezun e è nɔ zán ɖò fí e è nɔ bló kplé ɖè lɛ é ɖɔhun. TVS ɖé nɔ xò hlɔnhlɔn tɔn azɔn 1,5 bo sixu yí 50-200 amps nú microseconde lɛ.

Ɖo Ɖɔxomε ɔ, Ɖɔxomε ɔ Ɖo Ɖɔxomε TVS tɔn Ɖo ISO 16750-2 sin Ɖɔxomε Ɖokpo Ɖokpo mε. Load dump nǔ e jɛ lɛ é[{3}}nu e mɛ alternateur ɖé nɔ hɛn hlɔnhlɔn tɔn e nɔ hɛn hlɔnhlɔn tɔn ɖó te é bú ajijimɛ ɔ, é nɔ hu 100V. TVS diodes lɛ nɔ sú hlɔnhlɔn enɛ dó nanoseconde lɛ mɛ, bo nɔ cyɔn alɔ ECU e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é jí.

Mɛtlu e nɔ hɛn gan lɛ é (MOV)

MOV lɛ nɔ ɖe hlɔnhlɔn tɔn xlɛ[{0}}pendant distancer, bo nɔ wa nu ɖi insulators ɖo hlɔnhlɔn yetɔn glɔ bo nɔ hɛn hlɔnhlɔn yetɔn lɛ ɖo aga. Hlɔnhlɔn e ye nɔ yí ɖò hlɔnhlɔn mɛ é nɔ sɔgbe xá nǔ taji lɛ- hlɔnhlɔnnɔ e ɖò jǐ bo ɖò jǐ jǐ wɛ lɛ é- e nɔ zɔ́n bɔ è nɔ bló bɔ jɔhɔn nɔ syɛn d’eji é.

MOV e è sɔ́ ɖó 275V AC jí é ɖé kpo hlɔnhlɔn 6 500A kpo sixu yí hwǐ e hɛn joule afatɔ́n mɔkpan lɛ é. Ajɔ̌ ɔ{{4}off nɔ byɔ hlɔnhlɔn ɖaxó ɖò hǔn mɛ-ɔ 1 000{9}}5,000 pF- MOVs non subjectif nú linlin ɖaxó ɖaxó lɛ fí e ye na hɛn jɔhɔn ɖaxó lɛ gblé ɖè é.

Acɛkpikpa e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí zɛ xwé wu lɛ é

É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è hɛn gblé lɛ é dó ayi mɛ. É ɖò mɔ̌ có, è hɛn ɔ, è na bló bɔ è na mɔ nǔ jɛ nǔ e ɖò jijɛ wɛ lɛ é wu. 2 000 000 00 , bo na dó sixu bló bɔ amples 2 amps na yì 150 degrés ɖò segɔndu lɛ mɛ, bo na lɛ́ bló bɔ è na bló nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ xɔgbigbázɔ́watɔ́ lɛ é.

Électronique Tɔ̀ E Nɔ Kpé Nukún Dó È Wu É

É ɖò mɔ̌ có, è nɔ zán hlɔnhlɔn e nɔ zɔ́n bɔ è nɔ ɖó hlɔnhlɔn é dó bló bɔ hlɔnhlɔn e nɔ tɔ́n sín mɛ é nɔ syɛn d’eji. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ régérateur de petile é ɖé ɖó te, bo na dó hɛn agban ɔ ɖó jlɛ̌ jí. Hwenu e hlɔnhlɔn enɛ ɔ na yi 0.6{3}0.7V-etɛlu ɔ wu{5}}emitlu threshold de transistor- transistor- transistor-run ɔ nɔ w’azɔ̌ bo nɔ ɖyɔ hlɔnhlɔn e nɔ hɛn jɔhɔn ɔ ɖó te sín transistor ɖaxó ɔ jí é, bo nɔ ɖè hlɔnhlɔn tɔn kpò.

Nú dogbó 2-amp tɔn ɖé ɔ, linlin e nɔ ɖí xwi xá nǔ é nɔ jlɛ́ dó R=V/I=0.6V / 2A=0.3Ω wu. Hlɔnhlɔn ɖiɖe ɖ’ayǐ byɔ ɖɔ è ni gbéjé kpɔ́n ganji: P=I2R=4W ɖò agban kpinkpɛn mɛ. 5-10W sín hlɔnhlɔn e ɖó ganvɔ e jɛxa é ɖé nɔ zɔ́n bɔ jɔhɔn nɔ syɛn.

Wlɛnwín alɔcyɔnmɛji tɔn enɛ nɔ na dogbó e sɔgbe bo nɔ lɛ́vɔ wá é, bɔ è nɔ lɛ́vɔ ɖó dogbó nú nǔ e ɖò nǔ ɔ mɛ lɛ é ǎ. Circuit ɔ nɔ gbɔ azɔn éɖesunɔ hwenu e agban e è nɔ hɛn zɛ xwé wu é nɔ kɔ́n é, bɔ enɛ nɔ zɔ́n bɔ è nɔ na hlɔnhlɔn agban e nɔ ɖyɔ lɛ é.

flasi

Fuse lɛ nɔte nú alɔcyɔnmɛji e bɔkun hugǎn ɖò hwenu e è nɔ bló nǔ lɛ ɖó é- ɖé bo nɔ xú hwenu e é nɔ na zozo zɛ xwé wu é. Fí e è nɔ bló nǔ lɛ ɖó é nɔ hɛn nǔ gègě wá: hwenu{2}}delay alɔkpa lɛ nɔ zán nǔ kpɛví kpɛví e nɔ yí gbè nú agban kpinkpɛn lɛ é, bo nɔ yawu w’azɔ̌ tawun, bo nɔ lɛ́ zán ressort lɛ dó na xósin e nɔ yawu yì é, bɔ arc{{6}e nɔ ɖè kɔ́ kpò.

Nǔ e è nɔ sɔ́ ɖò fí e è nɔ bɛ́ nǔ lɛ ɖó é é nɔ byɔ ɖɔ è ni mɔ nukúnnú jɛ nǔ e è nɔ zán é wu. 1{3}}amp fuse ɖé na j’ayǐ tlolo ɖò 1,01 amps-é byɔ 150-200% hlɔnhlɔn e è sɔ́ ɖó te é tɔn nú azɔ̌wiwa ɖò hwenu e è ɖɔ é mɛ ǎ. É ɖò mɔ̌ có, mɛ e nɔ bló nǔ lɛ é nɔ kpɔ́n ɖɔ è kún ɖó na bló nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ 150% é ó, bo na dó sixu bló bɔ è ma na hɛn nǔ gblé dó mɛ wu ó, bo na lɛ́ bló bɔ è na cyɔn alɔ mɛ jí.

Mɛ e nɔ kpé nukún dó xá ɔ mɛ lɛ é

Mɛ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é nɔ xò nǔ kpɔ́n dó nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ switch é jí. Thermal- mangnétiques nɔ zán ɖiɖe bimétallique ɖé bɔ é nɔ kɔ́n kpo jɔhɔn kpo, bo nɔ ɖè nǔ e nɔ tɔ́n sín jɔhɔn mɛ é ɖé tɔ́n ɖò agbaza lixo-load contact. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ magnetique é dó ayi mɛ, bo na dó sixu bló nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ plunger ɖé é- nɔ na afɔ tlolo ɖò circuits klewun lɛ hwenu hwenu e courant nɔ hugǎn 5-10 sín jlɛjininɔ é.

Circuits circuits de circuits clairs - ninɔmɛ ɖyɔɖyɔ nú nǔ e ɖò macinu lɛ mɛ lɛ é. Nǔ enɛ lɛ nɔ tuùn nǔ e ɖò jijɛ wɛ ɖò IC e ɖò ayǐ dìn lɛ é mɛ é, bo nɔ lɛ́ ɖè ye sín MOSFET lɛ mɛ ɖò microsecondes lɛ mɛ. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e ɖò yiyi wɛ lɛ é ɖó mimɛ̌ jí, bo na lɛ́ zɔ́n bɔ nǔ e è sixu bló lɛ é na ɖi zɔnlin ɖi tomɛyiyi sín linlin lɛ kpo nǔwukpikpé e è ɖó bo na vɔ́ nǔ lɛ blóɖó ɖò zɔ é kpo.

Élɛktrɔtiki (ESD) Alɔdómɛ

Électrostatique nɔ jɛ hwenu e è nɔ hɛn nǔ e è kplé lɛ é ɖó nǔ lɛ tɛntin ɖò hlɔnhlɔn vovo lɛ tɛntin é. Mɛ e ɖò zɔnlin ɖi wɛ gbɔn kɔ́mɛ é nɔ kplé volt 10 000 000 000. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ nanosecondes é dó ayi mɛ, bo na dó sixu bló bɔ è na ɖó hlɔnhlɔn hú 10 amps.

ESD sín hlɔnhlɔn e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é nɔ zán diode bunɔ e è bló bɔ ye nɔ tɔ́n sín jɔhɔn e nɔ tɔ́n sín kɔ́mɛ é mɛ é. Hwenu e è ɖò azɔ̌ wà wɛ ganji é ɔ, dioo enɛ lɛ nɔ kpó ɖò gudo tawun-xonú bo nɔ lɛ́ mɔ yeɖée ɖò circuit ɔ mɛ ǎ. ESD sín nǔwiwa ɖé jɛ nukɔn-xonú lɛ, bo nɔ bló ali e ma ɖó hlɔnhlɔn sɔmɔ̌ ǎ é ɖé bɔ é nɔ ɖyɔ hlɔnhlɔn e nɔ hɛn nǔ gblé dó ICs sensible lɛ wu é.

É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ parasite inductance é dó ayi mɛ tawun. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ diode é kpo nǔ e è cyɔn alɔ jí é kpo ɖó te, bɔ é nɔ zɔ́n bɔ è nɔ ɖó hlɔnhlɔn ɖò hlɔnhlɔn e nɔ yawu ɖyɔ é hwenu (V=L × di/dt). Ɖo 5 nH ɖiɖe mɛ ɔ, 10 A/ns nɔ hɛn 50V spike- e sixu hɛn nǔ e è nɔ cyɔn alɔ jí é gblé. Enyi è ɖè nǔ enɛ kpò gbɔn alixlɛ́mɛ tlɔlɔ kpo ali e nu è na gbɔn ɖò ali e nu è nɔ ɖè nǔ sín mɛ é mɛ é kpo gblamɛ ɔ, é nɔ zɔ́n bɔ è nɔ cyɔn alɔ mɛ jí hugǎn.

Alɔcyɔnnú lɛ ɖò Lithium-I ɖò Batɛli lɛ mɛ

Nukúnnúmɔjɛnǔmɛnǔ e nyí batɛɛ lithium ion tɔn énǔnywɛ xwitixwiti sín nǔ lɛ ɖò taji cobo na gbéjé nǔ e è byɔ ɖò mɛ sí ɖɔ è ni cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é kpɔ́n. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ lithium-ion batterie é ɖé ɖó te, bo nɔ na hlɔnhlɔn hlɔnhlɔn tɔn gbɔn litium ions ɖagbe lɛ kpo hlɔnhlɔn e ma sɔgbe ǎ é kpo sín yiyi gblamɛ ɖò hlɔnhlɔn ɖiɖó kpo ɖiɖe ɖiɖe kpo tɛntin. Batterie enɛ lɛ huzu nǔ e è nɔ hɛn yì fí ɖevo lɛ é kpo mɔ̌to e nɔ zán hlɔnhlɔn lɛ é kpo ɖó hlɔnhlɔn yetɔn ɖaxó ɔ kpo gbɛzán yetɔn gaga kpo wu. É ɖò mɔ̌ có, lithium-ion batterie sín alɔcyɔnmɛji nɔte nú nǔwiwa bunɔ ɖé bɔ circuit sín azɔ̌ ɔ nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu bo nɔ lɛ́ gbà. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ 2,5-4,2V ɖò hǔn ɖokpo ɖokpo mɛ é dó hlɔnhlɔn kpɛví kpɛví lɛ mɛ, bo na lɛ́ w’azɔ̌ ɖò 1-3C sín hlɔnhlɔn ɖaxó hugǎn ɔ mɛ.

Batterie Protection IC Architecture

É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ taji atɔn ɖ’ayǐ: alɔcyɔnmɛji IC, N-chnique MOSFET wè, kpo nǔ e nɔ ɖí xwi xá linlin lɛ é ɖé kpo. Nǔ e nɔ cyɔn alɔ IC jí é nɔ kpɔ́n hlɔnhlɔn e ɖò hǔn mɛ é hwebǐnu gbɔn kancica tlɔlɔ xá terminaux ɖagbe kpo nyanya kpo gblamɛ. Ɖo jlɛ lɛ mɛ ɔ, é nɔ xlɛ hlɔnhlɔn e nɔ gbɔn MOSFET sin linlin ɔ mɛ ɔ-e nɔ hɛn FET lɛ sín- resisistance ɖi nu e nɔ hɛn nǔ kpɔ́n é hú ɖɔ é ni gɔ́ nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu é ɖé.

Xwédo DW01 tɔn nɔte nú ICs e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é. Nǔ enɛ lɛ nɔ kpɔ́n ninɔmɛ hwɛhuhu tɔn ɛnɛ jí:

Alɔcyɔnmɛji zɛ xwé wu: Azɔwiwa lɛ hwenu e hlɔnhlɔn celule tɔn hu 4,25-4.35V (é nɔ sín variant jí), bo nɔ hun hlɔnhlɔn MOSFET tɔn bo nɔ na gbè bɔ è nɔ ɖè è tɔ́n gbɔn agbaza ɔ sín diode gblamɛ.

Alɔdó zɛ xwé wu: Triggers ɖò 2.3-2.5V jí, bo hun MOSFET e è ɖè sín mɛ é bo na dó bló bɔ è ma na ɖè hlɔnhlɔn sín hǔn ɔ mɛ kaka sɔyi ó.

Nǔ e è nɔ ɖè sín mɛ é: Monitors voltage jε mε gbɔn MOSFET sin bεn ɔ ji. Nú courant nɔ bló 150-200 mV sín ɖiɖe (é nɔ sɔgbe xá 3-8 amps sɔgbe xá FET sín ɖiɖe), alɔcyɔnmɛji nɔ ɖ’alɔ ɖò 8-20ms mɛ.

Hwenu kpɛɖe: É nɔ zɔ́n bɔ è nɔ yawu j’ayǐ bo nɔ xlɛ́ ɖɔ è ɖò ɖiɖekpo wɛ tlɔlɔ, bo nɔ ɖè kancica e ɖò microseconde 20-100 mɛ é síìn.

Circuit de l’écription nɔ bló bɔ è nɔ bló bɔ è nɔ jɛ nukɔn bo nɔ bló bɔ nǔ lɛ nɔ yì nukɔn. Hwenu e è ɖò hǔn ɖé cá wɛ azɔn nukɔntɔn ɔ é ɔ, hǔn ɔ nɔ gɔn nǔ e nɔ tɔ́n sín hǔn mɛ é sín nǔ e nɔ tɔ́n sín IC sín ninɔmɛ e nɔ cyɔn alɔ IC jí é mɛ é nɔ gɔn azɔ̌ wà hweɖelɛnu. É ɖò mɔ̌ có, è byɔ ɖɔ è ni cá chargeur ɖé ɖó kpɔ́ bo na dó xlɛ́ ɖɔ è ɖò azɔ̌ wà wɛ ganji alǒ bló bɔ è na bló bɔ nǔ e nɔ tɔ́n sín mɛ lɛ é na hwe nú táan klewun ɖé, bo na dó sixu gbɔn ninɔmɛ lock-ut tɔn jí.

Gbε ɔ [{0}} Batterie lε sin nukplɔnmɛ

Batterie packs kpodo series- cávi kpo nɔ byɔ alɔcyɔnmɛji ɖaxó ɖé. Cellule ɖokpo ɖokpo ɖò xógbe ɖé mɛ ɔ, è ɖó na ɖè vogbingbɔn kpɛɖé xlɛ́ ɖó vogbingbɔn e ɖò nǔɖiɖó lɛ mɛ é wu. Ɖo chargement hwenu ɔ, cellules supérieurs supporte nɔ yi hlɔnhlɔn bi mɛ bɔ cellules e ma syɛn hu mɔ ǎ lɛ nɔ kpo ɖo hlɔnhlɔn yi wɛ, bɔ enɛ nɔ zɔn bɔ nu e ma syɛn ǎ lɛ nɔ hɛn hlɔnhlɔn zɛ jlɛ wu.

Nǔ e è nɔ zán dó kpé nukún dó batɛɛ lɛ wu lɛ é (BMS) nɔ ɖeɖɛ enɛ gbɔn jlɛjininɔ e ɖò azɔ̌ wà wɛ é alǒ ee ma nɔ w’azɔ̌ ǎ é gblamɛ. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e ɖò hǔn mɛ lɛ é dó ayi mɛ, bo na dó sixu bló bɔ hlɔnhlɔn e ɖò hǔn ɔ mɛ é na gbɔn vo, bo na lɛ́ bló bɔ hlɔnhlɔn e ɖò kàn ɔ jí é na sɔgbe. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e ɖò hǔn mɛ lɛ é ɖó jlɛ̌ jí, bo na lɛ́ bló bɔ hlɔnhlɔn e ɖò hǔn lɛ mɛ é na nyɔ́ hugǎn, amɔ̌, é na zɔ́n bɔ è na ɖó hlɔnhlɔn bo na lɛ́ xɔ akwɛ.

IC e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é wegɔ ɔ nɔ na hlɔnhlɔn ɖé hwenu e alɔcyɔnmɛji nukɔntɔn ɔ ma kpéwú ǎ é. Ðò nǔwiwa lɛ mɛ ɖi azɔwanú hlɔnhlɔn tɔn lɛ alǒ e{1}bikes fí e batɛɛ lɛ nɔ mɔ ninɔmɛ syɛnsyɛn lɛ ɖè é ɔ, dual-layer sín alɔcyɔnmɛji nɔ ɖè awě e nɔ xò mɛ é kpò. Enyi hlɔnhlɔn e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí é ma ɖò azɔ̌ wà wɛ ganji ǎ, ɖó nǔ e ɖò nǔ ɔ mɛ lɛ é ma nɔ w’azɔ̌ ganji alǒ è nɔ zán mɔ̌to ɔ ǎ wutu ɔ, hǔn wegɔ ɔ nɔ kpɔ́n hlɔnhlɔn kpo hlɔnhlɔn kpo ɖò éɖée sí, bo nɔ na azɔ̌ e ma nɔ w’azɔ̌ ganji ǎ é{4}}safe azɔ̌wiwa.

É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ zozo é dó ayi mɛ. Nǔ e nɔ hɛn nǔ xú lɛ é nɔ tɔ́n ɖò agbaza celule tɔn lɛ jí bo nɔ mɔ ɖɔ ye ɖò zozo e ma sɔgbe ǎ é mɛ. Enyi jɔhɔn ɔ hugǎn 60{5}70 degré , BMS nɔ ɖè hlɔnhlɔn/ɖekpo sín hlɔnhlɔn ɔ kpò alǒ é nɔ ɖè nǔ e ɖò kɔ́xota ɔ é síìn bǐ mlɛ́mlɛ́. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ thermique runaway-e é dó ayi mɛ, bɔ hlɔnhlɔn e ɖò xomɛ é nɔ sukpɔ́ ɖò jɔhɔn mɛ, bo nɔ bló bɔ zozo nɔ sukpɔ́ ɖò xósin ɖagbe ɖé mɛ-ɖó nǔ nukɔntɔn e nɔ zɔ́n bɔ è nɔ ɖó ayijayǐ ɖò nǔnywɛ xwitixwiti sín nǔ lɛ mɛ é mɛ.

Nǔ e è na gbéjé kpɔ́n lɛ é

É byɔ ɖɔ è ni bló bɔ nǔ e nɔ zɔ́n bɔ è nɔ ɖí xwi xá nǔ lɛ é gègě ni sɔgbe.

Ajɔ̌ e è nɔ sɔ́ dó jlɛ́ nǔ dó nǔ wu é[{0}}off

TVS diode lɛ nɔ xlɛ́ nǔ e è nɔ bló bɔ ye nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ clamping clamping voltages é dó ayi mɛ, bo na dó sixu cyɔn alɔ nǔ e ɖò nǔ ɔ mɛ lɛ é jí ganji, amɔ̌, é nɔ ɖè hlɔnhlɔn ɖaxó xlɛ́-ɔ 200{{4}500 pF ɖò diode ɖokpo ɖokpo jí. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ “{6}}speed signal lignes lɛ é ɖó te, bo na ɖó dogbó nú bandwidth bo na lɛ́ zɔ́n bɔ è na nɔ jla nǔ lɛ ɖó ɖò USB 3.0 alǒ HDMI sín xóɖɔɖókpɔ́ lɛ mɛ, bo na nɔ w’azɔ̌ ɖò hlɔnhlɔn e è nɔ zán ɖò xójlawema lɛ mɛ é mɛ.

É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ TVS é dó ayi mɛ, bo na dó sixu bló bɔ è na ɖó hlɔnhlɔn 10-50 pF, bo na hɛn wuntun ɔ ɖó te, amɔ̌, é na nɔ hɛn nǔ e ɖò jǐ lɛ é ɖó te. Mɛ e nɔ bló nǔ lɛ é ɖó na gbéjé hlɔnhlɔn e è cyɔn alɔ jí é kpo nǔ e è byɔ ɖò wuntun lɛ sí é kpo kpɔ́n, bo na dó sixu cyan nǔ e nyɔ́ hugǎn lɛ é.

MOSFET sɔ́ nú batɛɛ sín alɔcyɔnmɛji nɔ sɔ́ hlɔnhlɔn kpɛví ɖò-ɖó (RDS(on)) ɖó tɛn nukɔntɔn mɛ bo na dó ɖè hlɔnhlɔn ɖiɖekpo kpò ɖò azɔ̌wiwa ɖagbe hwenu. 0.1Ω FET e nɔ bló 3 amps é nɔ gbakpé 0.9W ɖi zozo{5}}nu ɖò tɛnmɛ-} e è sɔ́ dó bló batɛɛ lɛ é mɛ. RDS(on) jɛ 0,02Ω ɔ ɖiɖekpo jɛ 0,18W jí, bo na bló bɔ azɔ̌wiwa na kpɔ́n te d’eji lobo na lɛ́ ɖè hlɔnhlɔn e nɔ hɛn jɔhɔn lidǒ é kpò.

É ɖò mɔ̌ có, FET e nɔ ɖí xwi xá nǔ lɛ é nɔ ɖè hlɔnhlɔn e ɖò hɔntogbo ɔ jí é xlɛ́, bɔ enɛ nɔ byɔ ɖɔ è ni zán hlɔnhlɔn e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu é gègě ɖò IC e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí é sí. Ye nɔ lɛ́ xɔ akwɛ hú mɔ̌. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ jlɛ̌ jí é, akwɛ e è nɔ sú é kpo nǔ e nɔ hɛn jɔhɔn syɛnsyɛn lɛ é kpo wá.

Hwenu e è byɔ é

Circuits de la protection ɖó na yawu wà nǔ hú nǔ e ɖ’emɛ lɛ é sixu gɔn azɔ̌ wà. Silicon junction sín zozo nɔ fɔ́n bo nɔ yì 1 degré mɔ̌ ɖò miliseconde ɖokpo jí ɖò nǔ e jɛ lɛ é hwenu. Transistor e ɖó 150 degré℃ɖaxó bǐ ɔ bo nɔ w’azɔ̌ ɖò 25 degrés é ɖó 125 degrés. Ðò 1 degré /ms sín zozo mɛ ɔ, è nɔ gɔn nǔ ɖu ɖò milisegɔndu 125 mɛ.

É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ thermognétique é 50{3}200 milisegɔndu lɛ ɖó 200% jí, bo na dó sixu cyɔn alɔ nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ semiconductor é jí. Mɛ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é nɔ yí gbè ɖò 1-10 millisecondes mɛ, bo nɔ na hlɔnhlɔn e jɛxa é mɛ. ESD sín alɔcyɔnmɛji ɖó na w’azɔ̌ ɖò nanoseconde lɛ mɛ, ɖó nǔ e è nɔ ɖè sín mɛ é bǐ nɔ fó ɖò nanoseconde 100-200 mɛ.

Nǔ e è nɔ bló ɖó kpɔ́ bo nɔ lɛ́ sɔ́ ɖ’ayǐ lɛ é

Nǔ e è nɔ zán dó cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é nɔ byɔ ɖɔ è ni bló tuto nú nǔ lɛ ɖó kpɔ́ bo na dó sixu bló tuto nú azɔ̌wiwa ganji. Mi lin tamɛ dó alokan ɖagbeɖagbe ɖé jí bo ɖó lithium batɛɛ e nɔ cyɔn alɔ batɛɛ jí é, USB port ESD sín alɔcyɔnmɛji, kpodo fí e è sixu ɖyɔ ɖè é ɖé kpo ɖò ali e jí è nɔ gbá nǔ dó é.

Hwenu e è ɖò hwɛ syɛnsyɛn ɖé hɛn wɛ bo nɔ zɔ́n bɔ è nɔ cyɔn alɔ batɛɛ jí é ɔ, è ɖó na bló bɔ batɛɛ ɔ na w’azɔ̌ jɛ nukɔn, bo na hɛn fɛ́n ɔ ɖó vo nú hwɛhuhu syɛnsyɛn ɖevo lɛ. Enyi IC alɔcyɔnmɛji tɔn ɔ ma kpéwú ǎ ɔ, fuse ɔ nɔ na alɔdó. ESD diode lɛ nɔ kpé nukún dó nǔ e nɔ jɛ ɖò hwenu klewun ɖé mɛ lɛ é wu, bɔ hǔn ɖevo lɛ sixu yawu wà nǔ dó ye wu ganji ǎ. Nǔ e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é ɖokpo ɖokpo nɔ sɔ́ ayi ɖó hwɛjijɔ alɔkpa ɖé jí ɖò hwenu vovo lɛ jí, bo nɔ zɔ́n bɔ è nɔ jɛhun dó mɛ jí ɖò gɔngɔn mɛ.

Azɔ̌xwé lɛ kpo Azɔ̌wanú lɛ kpo

Ayikúngban e jí è nɔ kplɔ́n nǔ dó lɛ é nɔ hɛn nǔ gblé dó lɛ̌ɛnkanvɔ wu. Motor switching nɔ zɔ́n bɔ è nɔ mɔ hlɔnhlɔn 500{4}}1 000V. Nǔ e è nɔ zán dó bló nǔ lɛ é nɔ dó zǐngídi ɖaxó ɖé mɛ ɖò linlin e è nɔ na mɛ lɛ é mɛ. Weziza sixu zɔ́n bɔ volt kanweko mɔkpan na nɔ hɛn kàn gbɔn hlɔnhlɔn e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu é gblamɛ.

Nǔ e è nɔ zán dó cyɔn alɔ mɛ jí ɖò azɔ̌xwé lɛ é nɔ zán wlɛnwín gègě ɖò hwe ɖokpo ɔ nu. Nǔ e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é ɖò fí e è nɔ gbɔn bo nɔ byɔ azɔ̌ ɔ mɛ lɛ é. Circuits ɖokpo ɖokpo nɔ zán circuit breakers nú agban kpinkpɛn ɔ-moteur-rés breakers lɛ nɔ yí gbè nú jɔhɔn e nɔ byɔ mɛ é 6{5}}10 azɔn ɖevo lɛ, bɔ breaders standards na hɛn nǔ gblé dó mɛ wu.

É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è ɖɔ lɛ é dó ayi mɛ, bo na lɛ́ hɛn nǔ e è ɖɔ lɛ é dó ayi mɛ. Nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é nɔ yì 100-150V bo nɔ nɔ ayǐ nú milisegɔndu kanweko mɔkpan. Fífá sín hlɔnhlɔn nɔ jɛ dò nú hlɔnhlɔn batɛɛ tɔn bo nɔ yì 3-6V hwenu e é ɖò 400-800 amps ɖè wɛ é. Jump sín bǐbɛ̌mɛ sixu zán polarite ɖevo ɖò 14-16V jí.

É ɖò mɔ̌ có, è nɔ bló bɔ è nɔ mɔ nǔ jɛ nǔ e ɖò jijɛ wɛ lɛ é wu, bo nɔ lɛ́ bló bɔ è nɔ mɔ nǔ jɛ nǔ e ɖò jijɛ wɛ lɛ é wu. アクロの抑食的な参加の抑制, crowbar circuits nú jɔhɔn e nɔ nɔ ayǐ é, lobo na lɛ́ bló bɔ è na lɛ́ hɛn nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu é ɖó te ɖò nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é mɛ, é wɛ nyí -40 degrés à {{2} degrés degré kpodo distance vibration kpo 30G.

Nǔnywɛ xwitixwiti sín nǔ e ɖò jiji wɛ lɛ é

Huzuhuzu e ɖò mɔ̌to e nɔ zán hlɔnhlɔn lɛ é kpo tutoblonunu e nɔ vɔ́ hlɔnhlɔn na lɛ é kpo mɛ é nɔ zɔ́n bɔ è nɔ bló nǔ yɔyɔ̌ lɛ dó cyɔn alɔ mɛ jí. SiC (silicon carbide) kpo GaN (nitride gallium) kpo nɔ w’azɔ̌ ɖò hlɔnhlɔn ɖaxó lɛ mɛ, bo nɔ lɛ́ ɖyɔ hlɔnhlɔn hú nǔ e è nɔ zán ɖò silicium mɛ lɛ é. Nǔ e è nɔ zán ɖò gblǒ mɛ lɛ é nɔ byɔ alɔcyɔnmɛji bunɔ ɖé ɖó è nɔ yawu ɖyɔ nǔ lɛ (5-20 V/ns) bo nɔ lɛ́ ɖó hlɔnhlɔn bo nɔ hɛn hlɔnhlɔn zɛ xwé wu.

Nǔ e è nɔ zán dó cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é nɔ xò nǔwukpikpé xóɖɔɖókpɔ́ tɔn lɛ kplé. Nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó tutoblonunu lɛ wu é ɖé nɔ ɖɔ xó xá tuto xɔgbigbá tɔn ɔ, bo nɔ jla hlɔnhlɔn, nǔ e ɖò jijɛ wɛ dìn é, nǔ e nɔ zɔ́n bɔ è nɔ ɖó hlɔnhlɔn é, kpo hlɔnhlɔn e è nɔ zán é kpo. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è ɖɔ lɛ é dó ayi mɛ, bo na dó sixu mɔ nǔ jɛ nǔ e ɖò jijɛ wɛ lɛ é wu. 危険 analyticsは,失敗の歴史。

Solid- ninɔmɛ circuits circuit lɛ nɔ ɖè mɛ e nɔ xò nǔ kpɔ́n lɛ é síìn bǐ mlɛ́mlɛ́, bo nɔ zán MOSFETs alǒ IGBT lɛ dó ɖyɔ ye. Azɔwanú enɛ lɛ nɔ wà nǔ ɖò microseconde lɛ mɛ, bo nɔ mɔ ɖɔ è kún nɔ xò nǔ kpɔ́n dó nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ arcing é wu ó. Nǔ e è nɔ zán dìn lɛ é wɛ nyí ɖɔ è nɔ ɖeji dó nǔ lɛ wu tawun, bɔ ye nɔ byɔ ɖɔ è ni ɖeji dó ye wu tawun, bɔ jɔmɛhun lɛ nɔ lɛ́ ɖè akwɛ kpò.

Arc hwɛjijɔ sín hǔn lɛ nɔ mɔ alɔnuwema lɛtɛki tɔn[{0}} hight- freequency courant winnision de ionisation air. Nǔ enɛ lɛ nɔ glɔ́n ali nú myɔ e kàn e gblé lɛ é ɖó é, fí e courant kpó ɖò dogbó e è nɔ zán ɖò aca mɛ lɛ é glɔ́ é, amɔ̌, arcing nɔ na zozo e kpé é bo nɔ dó zo nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu é.

Acɛ e è na dó hwlɛn mɛ gán é sín tɛnkpɔn kpo jlɛjininɔ kpo

É byɔ ɖɔ è ni zán nǔ e è nɔ zán dó cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é dó gbéjé nǔ e è nɔ zán dó cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é kpɔ́n. Curve tractives nɔ bló tuto nú nǔ e ɖò jijɛ wɛ dìn lɛ é alǒ ee nɔ ɖyɔ lɛ é, bo nɔ lɛ́ jlɛ́ lee circuit lɛ nɔ na xósin gbɔn é. Ɖo tɛnkpɔn ESD tɔn mɛ ɔ, général lɛ nɔ ɖe ɖiɖe e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é tɔ́n ɖò IEC 61000-4-2 sín linlin lɛ mɛ-ɖò kpaa mɛ ɔ, 2-8 kV nɔ tɔ́n sín mɛ bo nɔ lɛ́ ɖè jɔhɔn 2-15 kV sín jɔhɔn mɛ.

Nǔ e nɔ cyɔn alɔ batɛji jí lɛ é nɔ gbɔn mɔ̌to e nɔ hɛn jɔhɔn é/ɖekpo tɔn jí ɖò jɔhɔn ɖaxó ɖé mɛ. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è ɖɔ lɛ é dó ayi mɛ, bo na dó xlɛ́ ɖɔ è ɖò azɔ̌ wà wɛ ganji ɖò hlɔnhlɔn e è ɖɔ lɛ é mɛ. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ cokoto kpɛví é dó jlɛ́ nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ cokoto kpɛví lɛ é gbɔn alɔcyɔnmɛji sín tuto ɔ gblamɛ, bo na dó ɖexlɛ́ ɖɔ MOSFET lɛ nɔ klán cobɔ nǔ lɛ nɔ gblé.

Nǔ e è nɔ tɛ́n kpɔ́n ɖò jɔhɔn mɛ é wɛ nɔ zɔ́n bɔ jɔhɔn ɔ nɔ fɔ́n bo nɔ ɖò jijɛji wɛ ɖò ninɔmɛ hwɛjijɔ tɔn lɛ glɔ́. Camera infrarouges nɔ xlɛ́ fí e è ma nɔ mɔ ganvɔ ɖè ǎ lɛ é alǒ fí e è ma nɔ bló bɔ è nɔ bló bɔ è nɔ bló bɔ è nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu ganji ǎ é. É ɖò mɔ̌ có, è ɖó na hɛn nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é bǐ ɖó mimɛ̌ jí-loading gbigba mɛ, bo ma na zɛ jɔhɔn e è sɔ́ jlɛ́ dó nǔ wu é wu ǎ, bo na byɔ ɖɔ è ni gbéjé jɔhɔn ɔ kpɔ́n jɛ nukɔn ɖò ɖiɖe ɔ sín akpáxwé ɔ mɛ.

Nùkanbyɔ lɛ Kanɖée .

Nɛ̌ un ka na tuùn ɖɔ nǔ e un nɔ zán é ɖó hlɔnhlɔn e nɔ cyɔn alɔ mì jí é gbɔn?

Nǔ e è nɔ zán ɖò alokan jí ɖò égbé lɛ é gègě nɔ byɔ alɔcyɔnmɛji ɖé lɛ. Battery- hlɔnhlɔn lɛ nɔ byɔ alɔcyɔnmɛji dodó ɔ hwebǐnu. Ba PCB kpɛví kpɛví e è tɛ́ dó batɛɛ sín kɔ́xota lɛ wu-ɛ lɛ nɔ hɛn alɔcyɔnmɛji IC kpo MOSFETs kpo tɔn lɛ. Nǔ e è nɔ zán lɛ é e UL alǒ CE sín kúnnuɖewema yí gbè na lɛ é nɔ byɔ ɖɔ è ni zán nǔ e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é ɖé lɛ sɔgbe xá nǔ e è na zán é.

Circuits de l’écription lɛ ka sixu gɔn azɔ̌ wà à?

Ɛɛn, hlɔnhlɔn e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é sixu gɔn azɔ̌ wà, enyi tutoblonunu lɛ na bo tlɛ ɖó hlɔnhlɔn ɖé ɔ nɛ. Nǔ e ɖò kpɔ́ lɛ é sixu hwe hú circuit e ɖò nuvo é-TVS diodes kpo MOSFETs kpo nɔ gɔn azɔ̌ wà hwɛhwɛ, bo nɔ hɛn alɔcyɔnmɛji ɖé lɛ ɖó te hú ɖɔ ye ni jó circuit lɛ dó bɔ è ma cyɔn alɔ ye jí ǎ. Nǔ e wu è ma kpéwú bo wà nǔ ǎ é enɛ tinmɛ nǔ e wu è nɔ zán nǔ e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí lɛ é ɖò nǔwiwa taji lɛ mɛ é.

Etɛ ka gbɔn vo ɖò alɔcyɔnmɛji nukɔntɔn ɔ kpo wegɔ ɔ kpo tɛntin?

Nǔ e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí ɖò bǐbɛ̌mɛ lɛ é nɔ yí gbè nú ninɔmɛ hwɛhuhu tɔn e sɔgbe lɛ é, bo nɔ lɛ́ gbɔ azɔn éɖesunɔ. Nǔ e nɔ cyɔn alɔ mɛ jí ɖò wegɔ ɔ mɛ é nɔ w’azɔ̌ hwenu e alɔcyɔnmɛji nukɔntɔn ɔ ma kpéwú ǎ é, bɔ hwɛhwɛ ɔ, é nɔ ɖè hlɔnhlɔn e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu é sín hǔn mɛ kaka sɔyi gbɔn jɔhɔn e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu é ɖé gblamɛ. Nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ layered é enɛ nɔ zɔ́n bɔ è nɔ ɖó ayijayǐ, enyi nǔ e ɖò nǔ ɔ mɛ lɛ é na bo tlɛ gblé ɔ nɛ.

Lithium sín batɛɛ lɛ bǐ ka ɖó hudo alɔcyɔnmɛji tɔn à ?

Lithium e è nɔ sà ɖò ajɔ̌wiwa linu é ɔ, è ɖó na cyɔn alɔ mɛ jí. "Raw" cellules ma ɖo alɔcyɔnmɛji ǎ, amɔ̌, è ɖó na zán ɖò tutoblonunu e mɛ è nɔ cyɔn alɔ mɛ jí ɖò kɔ́xota lɛ é kɛɖɛ mɛ. É ɖò mɔ̌ có, è nɔ zán cellules e è ma cyɔn alɔ jí ǎ lɛ é ɖò nǔwiwa lɛ mɛ, bɔ tuto batɛɛ tɔn e jɛxa lɛ é ma nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu ǎ.

Nǔ E È Na Ðɔ É:

Circuit Axi ɔ sín linlin - Dobanunǔ lɛ sín dobanunǔ, 2024

ISO 16750-2 Sɛ́n E Nɔ Kpé Nukún Dó Mɔto lɛ Wu É

IEC 61000-4-2 ESD sín nǔ e è nɔ kpɔ́n lɛ é

Batterie IC sín wema lɛ sín wema - ABLIC Inc., 2025

TVS Diode sín wema lɛ sín wema- Analogique de l’Analogique, 2021